Samsung начала производство памяти 3D V-NAND с ячейками TLC

Опубликовано:

samsung 2013Производитель чипов Samsung выпускает флэш-память для накопителей SSD 850 Pro по так называемой технологи 3D V-NAND. В отличие от обычных чипов NAND, в данном случае флэш-память состоит из 24 или 32 слоев, что, в том числе, позволяет снизить затраты на производство памяти. В одну ячейку памяти при этом сохраняются два бита, что соответствует стандарту MLC.

Теперь Samsung объявила о массовом производстве памяти 3D V-NAND с ячейками TLC. Чипы памяти по-прежнему опираются на несколько слоев, но в каждой ячейке теперь хранятся уже три бита. До сих пор память TLC выпускалась в однослойном дизайне. Память 3D V-NAND TLC будет иметь ёмкость 128 Гбит или 16 Гбайт, для SSD ёмкостью 128 Гбайт требуется восемь чипов. Если верить Samsung, вертикальная структура чипов обеспечивает большую надёжность, чем у планарных ячеек TLC. Однако точной информации по этому вопросу не предоставлено.

Будут ли снижаться цены SSD из-за удешевления производства чипов памяти, нам ещё предстоит увидеть. Также пока неизвестно, когда в магазины поступят первые SSD на новой памяти.