Компания Intel совместно с американской корпорацией Micron объявили в прошлом году о начале разработки нового поколения SSD-накопителей на основе чипа, выполненного по технологии 3D XPoint. Новые чипы совмещают в себе скорость RAM и энергонезависимость массивов NAND. В настоящее время о новой технологии известно мало, но теперь Intel впервые рассказала о своих планах, а также поделилась некоторыми спецификациями.
Согласно этим данным, 3D XPoint является технологией памяти с изменением фазового состояния (PCM), и таким образом, чип состоит из халькогенидов и переключателей компании Ovonyx. В современных CD и DVD используются такие же материалы для хранения данных наряду с изменением фазового состояния. Кроме того, Intel пообещала выпустить первый пробный чип в этом году. Массовое производство начнется спустя 12-18 месяцев после появления прототипа, то есть на рынке новый вид накопителя появится не раньше 2017 года. Причиной такой задержки компания считает использование новых материалов, с которыми предстоит работать производителям. К тому же поставлять эти материалы могут всего лишь несколько компаний, что быстро приведет к производственным задержкам.
Несмотря на все это, Intel собирается начать использовать новую технологию как можно быстрее, что предложить пользователям самые быстрые накопители. Первые SSD на основе технологии 3D XPoint должны появиться в линейке под названием Optane.