SK Hynix, если верить самому производителю, начнет поставки памяти 3D NAND четвертого поколения во втором квартале. Ёмкость 72-слойного чипа составит 256 Гбит. В последствии ёмкость может быть увеличена до 512 Гбайт на чип. Однако память удвоенной ёмкости появится лишь в четвертом квартале 2017 года.
Изначально память 3D NAND четвертого поколения должна была появиться в четвертом квартале прошлого года. Тем не менее, в связи с проблемами на производстве выход задержали. Увеличив количество слоев до 72, а также уменьшив техпроцесс, производитель может получить больше чипов с одной подложки, тем самым уменьшая затраты на производство. Когда на рынке появятся первые накопители на основе 3D NAND v4 производства SK Hynix, пока не известно.
В этом же году производитель представит память LPDDR4X-DRAM для мобильного сегмента. Память предложит до 8 Гбайт и пропускную способность до 34,1 Гбайт/с. Кроме того, LPDDR4X будет значительно меньше тратить ресурс батареи. SK Hynix говорит об уменьшении энергопотребления на 20% по сравнению с памятью LPDDR4.
Производитель также объявил о производстве памяти HBM2. Второе поколение High Bandwidth Memory предложит 4 Гбайт и пропускную способность до 1,6 Гбит/с на контакт. Поставки HBM2 запланированы уже на этот квартал. Основной интерес к этой памяти проявляют производители видеокарт - NVIDIA и AMD. В настоящий момент HBM второго поколения выпускает только Samsung, но скоро SK Hynix станет вторым поставщиком быстрой памяти.