SK Hynix анонсировала четвертое поколение 3D NAND. Как указывает производитель чипов, новое поколение будет сочетать больше слоев на кристалле. Теперь заявлено о 72 слоях, что позволит достичь плотности упаковки памяти 256 Гбит или 32 Гбайт на кристалл. Ранее число слоев ограничивалось 48. Что касается ячеек, SK Hynix использует TLC, то есть ячейки с хранением трех битов информации.
Кроме более высокой емкости к преимуществам новой памяти можно отнести снижение себестоимости производства. SK Hynix говорит об экономии 30% по сравнению с третьим поколением. Также была улучшена производительность, прирост составил 20% по сравнению с предшественником.
Массовое производство четвертого поколения памяти 3D NAND от SK Hynix запланировано на вторую половину года. Позднее должны выйти более емкие чипы памяти на 512 Гбит, производитель планирует представить их к концу января 2018.