В настоящее время все большее количество производителей памяти переходит на 3D NAND. Использование чипов с несколькими слоями помогает одновременно увеличить плотность упаковки и снизить стоимость производства. Несколько месяцев назад SK Hynix представила четвертое поколение 3D NAND с 72 слоями, но это, похоже, не предел.
Согласно последней информации, компания уже разрабатывает 3D NAND с 96 и даже с 128 слоями. Соответственно, ёмкость чипов может быть увеличена: 3D NAND с 96 слоями должна обеспечить 64 Гбайт, а 128-слойный чип предложит ёмкость в 128 Гбайт. В качестве технологии производитель продолжит использовать TLC.
Информацию о начале серийного производства SK Hynix пока не уточняет. Но уже сейчас понятно, что в будущем ёмкость накопителей будет увеличиваться. Будет ли это означать снижение цен на менее ёмкие модели в недалеком будущем, сказать пока сложно. Спрос на память NAND по-прежнему велик.
Кроме SK Hynix, над стекируемой памятью работают такие производители, как Micron, Toshiba и Samsung. Toshiba также планирует выпускать чипы по технологии QLC. Возможность записывать 4 бита в одну ячейку позволит значительно увеличить плотность чипов. Но производитель пока что сталкивается с серьезными проблемами в сроках службы такой памяти.