В сегодняшнем пресс-релизе компания Toshiba объявила о разработке первых в мире чипов BiCS 3D NAND с использованием технологии Through Silicon Via (TSV), которые могут хранить по три бита на ячейку (TLC). Сэмплы чипов должны выйти во второй половине 2017 года. Первые прототипы компания покажет на мероприятии 2017 Flash Memory Summit в Санта-Кларе, Калифорния, которое пройдет с 7 по 10 августа.
Технология TSV позволяет соединять слои чипа напрямую, что увеличивает скорость передачи данных и снижает энергопотребление. Эффективность одной упаковки, изготовленной при помощи TSV, примерно в два раза выше, чем таких же чипов BiCS FLASH, кристаллы которых соединены обычным проводным методом. TSV BiCS FLASH позволет получить 1-Тбит чип с 16 слоями в одной упаковке.
Toshiba Memory Corporation в скором времени начнет продажи BiCS FLASH с технологией TSV. Новый стандарт обещает стать идеальным решением для сценариев, которые требуют низких задержек, высокой пропускной способности и эффективного соотношения IOPS на Ватт. Например, это могут быть корпоративные SSD.