Samsung начала серийное производство чипов UFS на 512 Гбайт
Для обеспечения высокой плотности производитель использует стекируюмую память V-NAND или 3D-NAND в случае с другими производителями. Для нового поколения чипов Samsung использует 64 слоя, причем контроллер памяти находится в этой же упаковке. Предыдущий чип на 256 Гбайт состоял из 48 слоев.
Что касается скорости, то здесь Samsung называет до 820 Мбайт/с для чтения и до 255 Мбайт/с для записи. Этих значений должно быть достаточно для современных смартфонов, хотя сам по себе стандарт UFS позволяет добиться и более высокой пропускной способности.
Совсем недавно компания Toshiba также объявила о выходе чипов UFS нового поколения. Однако в данном случае японский производитель выпускает 64-слойные устройства на 256 Гбайт, которые проигрывают новым чипам Samsung по ёмкости.