SK Hynix начала производство 128-слойной 4D NAND
Если быть более точным, речь идет о 128-слойной памяти 1 Тбит TLC (Triple Level Cell) 4D NAND. В 128 слоях памяти (плюс слои управления) расположены 360 млрд. ячеек NAND. При подключении к соответствующему контроллеру, скорость передачи должна составить 1.400 Мбит/с. Напряжение составляет 1,2 В.
SK Hynix планирует представить в следующем году собственные SSD на основе фирменного контроллера NVMe. Он как раз будет использовать новую 128-слойную 4D NAND. Емкость накопителей достигнет 2 Тбайт. Для корпоративного рынка в следующем году планируются NVMe SSD на 16 и 32 Тбайт.
На данный момент SK Hynix работает над реализацией 176-слойной памяти 4D NAND. С ней плотность хранения данных получится вновь увеличить более чем на треть. Впрочем, другие производители тоже разрабатывают память NAND с большим числом слоев. Использование ячеек TLC и QLC тоже позволяет увеличить плотность хранения данных, но приводит к некоторым недостаткам по скорости.