Южнокорейский гигант Samsung анонсировал массовое производство 250-Гбайт SSD SATA на шестом поколении флэш-памяти V-NAND. Память Samsung V-NAND шестого поколения отличается высокой пропускной способностью, если верить производителю.
Благодаря технологии травления каналов Samsung с новой памятью V-NAND удалось увеличить число ячеек на 40% в существующей 9-кристалльной структуре с одним стеком. Число слоев составляет 136. Новое поколение будет обеспечивать задержки доступа меньше 450 мкс для записи и 45 мкс для чтения. По сравнению с предыдущим поколением, Samsung указывает прирост производительности более чем на 10%, а энергопотребление при этом снизилось более чем на 15%. Дизайн V6 является промежуточным шагом к памяти V-NAND следующего поколения, которая будет включать больше 300 слоев.
Кроме того, для создания чипа на 256 Гбит потребовалось всего 670 млн. сквозных каналов по сравнению с более чем 930 млн. у предыдущего поколения. Что позволило уменьшить размер чипов. Также теперь требуется меньше этапов производства. В результате эффективность производства возросла на 20%.
Samsung планирует вывести последнее поколение 3D V-NAND и на автомобильный рынок, а не только на мобильные устройства и корпоративные серверы.