Компания Toshiba объявила о запуске в производство нового решения в области памяти класса хранилища (Storage Class Memory, SCM) - XL-FLASH. Оно создано на основе собственной инновационной технологии TME - 3D-флеш-памяти BiCS FLASH с размещением 1 бита данных в ячейке (SLC) - и обеспечивает низкую задержку и высокую производительность, востребованные в дата-центрах и корпоративных хранилищах данных.
Решение XL-FLASH, представляющее собой память класса хранилища, или энергонезависимую память, способно сохранять содержимое аналогично флеш-памяти NAND и устраняет разрыв в производительности между памятью типов DRAM и NAND. Энергозависимая память, в том числе DRAM, обеспечивает необходимую скорость доступа к данным для работы приложений с высокими требованиями, но такая производительность связана с высокими затратами. Когда стоимость DRAM-решений в расчёте на бит данных становится слишком высокой, а возможности масштабирования сходят на нет, SCM-уровень в иерархии запоминающих устройств позволяет решить эту проблему, предлагая экономически эффективное решение в виде энергонезависимой флеш-памяти NAND с высокой плотностью хранения данных.
Занимая нишу между DRAM и флеш-памятью NAND, решение XL-FLASH обеспечивает рост скорости, снижение задержки и увеличение объёмов устройств хранения данных при более низкой стоимости по сравнению с традиционной DRAM-памятью. XL-FLASH будет первоначально выпускаться в формате SSD, но впоследствии может быть реализовано и в формате устройств, подключенных к каналу памяти на шине DRAM, таких как энергонезависимые двухрядные модули памяти (NVDIMM), которые должны в будущем стать промышленным стандартом.
Основные особенности XL-FLASH:
- кристалл ёмкостью 128 Гбит (модуль из 2, 4 или 8 кристаллов);
- размер страницы 4 Кбайт для повышения эффективности чтения и записи операционной системой;
- 16-секционная архитектура для более эффективной параллельной работы;
- низкое время чтения и программирования страниц: память XL-FLASH обладает низкой задержкой чтения - менее 5 микросекунд, что примерно в 10 раз быстрее по сравнению с существующей памятью TLC.
Поставки ознакомительных образцов начнутся в сентябре 2019 года, а начало серийного производства запланировано на 2020 год.