Южнокорейская компания Sk hynix, специализирующаяся на производстве памяти, объявила о запуске массового производства первой NAND-памяти с 321 слоем. Емкость отдельных чипов NAND достигла 1 Тбайта. 321-слойная память продолжает прошлогоднюю разработку, в которой Sk hynix стала первым производителем, предложившим чипы NAND с 238 слоями. Ожидается, что продукты с новой NAND-памятью выйдут на рынок в первой половине 2025 года.
Sk hynix отмечает простоту адаптации новой памяти с 321 слоем, так как многие технологические этапы предыдущей версии с 238 слоями остаются неизменными. В том числе применяется технология «3 plugs», создающая вертикальные отверстия в слоях подложки для одновременного производства нескольких ячеек. Этот шаг повышает скорость производства NAND с таким количеством слоев на 59%.
NAND-память с 321 слоем обеспечивает на 13% более высокую скорость чтения и на 12% более высокую скорость записи. При почти неизменном энергопотреблении эффективность возрастает на 10%.
NAND и DRAM пользуются высоким спросом из-за популярности искусственного интеллекта. В настоящее время производители не могут поставлять HBM3E в объёмах, необходимых AMD и NVIDIA для их ИИ-ускорителей. Кроме того, 24-слойные чипы HBM3E, вероятно, сложнее производить, чем предполагалось на начальных этапах разработки.
Подписывайтесь на группу Hardwareluxx ВКонтакте и на наш канал в Telegram (@hardwareluxxrussia).