SK Hynix объявила о начале массового производства QLC NAND с 321 слоем и емкостью 2 Тбит. По словам компании, это первые в отрасли многослойные QLC-чипы такого уровня. Напомним, QLC (Quad Level Cell) означает хранение четырёх бит данных в каждой ячейке.
Благодаря 321-слойной структуре SK Hynix удалось удвоить ёмкость каждого чипа памяти. Чтобы компенсировать возможное снижение производительности в NAND высокой плотности, инженеры увеличили количество независимых операционных блоков ("independent operation units") внутри кристалла с четырёх до шести. Это позволило повысить уровень параллельной обработки и улучшить скорость одновременного чтения.
По данным SK Hynix, скорость передачи данных с одного чипа удвоена, производительность записи выросла до 56%, а скорость чтения — на 18%. Кроме того, энергоэффективность записи улучшена более чем на 23%.
Первым применением новых чипов станут NVMe SSD для конечных пользователей. Позже компания планирует использовать их и в корпоративных SSD, а также в UFS-памяти для смартфонов. Дополнительно SK Hynix намерена внедрить технологию 32DP Stacking, позволяющую объединять до 32 QLC-кристаллов в один стек, что существенно повысит общую плотность хранения — особенно актуально для корпоративных SSD.
Первые продукты на базе 321-слойной QLC NAND должны выйти на рынок в первой половине 2026 года.
Подписывайтесь на группу Hardwareluxx ВКонтакте и на наш канал в Telegram (@hardwareluxxrussia).