На GPU Technology Conference (GTC) Samsung представила новое поколение памяти HBM2. Оно получило название Flashbolt или HBM2E. Память Flashbolt HBM2 является дальнейшим развитием Aquabolt, которая была представлена более года назад, в январе 2018.
С памятью Flashbolt HBM2 Samsung увеличивает скорость передачи с 2,4 Гбит/с до 3,2 Гбит/с на контакт, то есть на 33%. Кроме того, емкость теперь составила 16 Гбит на кристалл. В результате стек с восемью кристаллами дает емкость 16 Гбайт с пропускной способностью 410 Гбайт/с. Память может использоваться в различных сценариях.
На современных видеокартах с памятью HBM2, таких как AMD Radeon RX Vega 56 и 64, а также NVIDIA Titan V, пропускная способность памяти составляет до 820 или 1.230 Гбайт/с. В случае четырех стеков памяти (например, Tesla V100 от NVIDIA или AMD Radeon VII), мы получаем 1,64 Тбайт/с.
| Flashbolt | Aquabolt | Flarebolt | |
| Емкость | 16 GB | 8 GB | 4 / 8 GB |
| Скорость на контакт | 3,2 Гбит/с | 2,4 Гбит/с | 1,6 / 2,0 Гбит/с |
| Число слоев DRAM | 8 | 8 | 4 / 8 |
| Емкость слоя | 16 Гбит | 8 Гбит | 4 / 8 Гбит |
| Техпроцесс слоя DRAM | - | 20 нм | 20 нм |
| Ширина интерфейса памяти | 1.024 бит | 1.024 бит | 1.024 бит |
| Пропускная способность на чип | 410 Гбайт/с | 256 Гбайт/с | 204,8 Гбайт/с |
| Напряжение | - | 1,35 В | 1,2 В |
Пока что Samsung не дает подробной информации о Flashbolt HBM2, в частности, неизвестно напряжение и технология производства кристаллов DRAM.
"Flashbolt’s industry-leading performance will enable enhanced solutions for next-generation data centers, artificial intelligence, machine learning, and graphics applications," сказал Джинман Хан, старший вице-президент Samsung. "We will continue to expand our premium DRAM offering, and improve our ‘high-performance, high capacity, and low power’ memory segment to meet market demand."
Samsung наверняка опубликует подробности позднее. Пока неизвестно, на каких GPU-ускорителях или FPGAs будет использоваться память Flashbolt HBM2 от Samsung.