SK Hynix представила новую память HBM, которая будет использоваться с 2020 года в различных вычислительных ускорителях и видеокартах. HBM2E является переходным вариантом между вторым и третьим поколением High Bandwidth Memory, поскольку разработка третьего поколения HBM несколько замедлилась, хотя прогнозы несколько лет назад были более благоприятными.
Весной Samsung представила Flashbolt, еще один вариант HBM2E с пропускной способностью 3,2 Гбит/с на контакт. Емкость слоя составила 16 Гбит, с шириной интерфейса 1.024 бит мы получили пропускную способность 410 Гбайт/с. Емкость чипа HBM2E составляет 16 Гбайт.
Новый вариант HBM2E от SK Hynix получил прирост пропускной способности до 3,6 Гбит/с на контакт. Ширина интерфейса составляет те же 1.024 бита, поэтому пропускная способность памяти - 460 Гбайт/с. Поскольку SK Hynix тоже использует восемь слоев емкостью 16 Гбит, мы получаем емкость чипа 16 Гбайт.
Четыре скоростных чипа HBM2E обеспечат суммарную емкость 64 Гбайт/с с пропускной способностью памяти 1,84 Тбайт/с. То есть в случае профессиональных ускорителей можно говорить о приросте в 66%, а для игровых видеокарт получается увеличение пропускной способности более чем в два раза.
SK Hynix планирует начать массовое производство скоростной памяти HBM2E в следующем году. Основная сфера применения - GPU в сегментах HPC и AI, а также различные специальные решения. Samsung пока не дала информации о доступности своего варианта Flashbolt памяти HBM2E, но SK Hynix и Samsung наверняка "выстрелят" примерно в одно время. Интересно будет посмотреть, догонит ли Samsung по пропускной способности памяти.