Samsung анонсировала разработку видеопамяти GDDR6W. Она будет соответствовать грядущим требованиям по емкости и пропускной способности. В принципе, GDDR6W можно назвать гибридом между классической GDDR и HBM.
В случае памяти GDDR6W используются несколько слоев DRAM. Samsung выбрала собственную корпусировку FOWLP (fan-out wafer level packaging) для стекирования двух уровней. Самая быстрая память GDDR6 (GDDR6 x32) от Samsung показывает пропускную способность 24 Гбит/с на контакт. GDDR6W x64 ее удваивает. Емкость одного чипа GDDR6W теперь составит 4 Гбайт вместо 2 Гбайт.
Разница между GDDR6 и GDDR6W видна по структуре. Первая использует PCB с шариками BGA снизу, дорожки для чипов DRAM проложены через PCB. Высота стека стандартизована – 1,1 мм. В случае GDDR6W сначала идет слой RDL (redistribution layer) с шариками BGA снизу, затем следует первый слой DRAM. Второй слой RDL находится еще выше, за ним следует второй слой DRAM. В корпусировку добавлены медные стойки, которые соединяют два слоя RDL.
Толщина GDDR6W всего 0,7 мм, то есть на 36% ниже. Снижение толщины, помимо прочего, связано с отказом от PCB. Число контактов ввода/вывода снизу увеличилось с 32 до 64, что обусловило удвоение пропускной способности. По другим измерениям корпусировка будет идентична GDDR6.
Samsung позиционирует память GDDR6W как альтернативу HBM, при этом проводится сравнение основных характеристик:
| GDDR6 | GDDR6W | HBM2E | |
| Контакты ввода/вывода | 256 (8x 32) | 512 (8x 64) | 4.096 (4x 1.024) |
| Пропускная способность на контакт | 24 Гбит/с | 22 Гбит/с | 3,2 Гбит/с |
| Суммарная пропускная способность | 768 Мбайт/с | 1,4 Тбайт/с | 1,6 Тбайт/с |
| Емкость | 16 GB | 32 GB | 32 / 64 GB |
Samsung сравнивает «систему» или видеокарту/ускоритель с восемью чипами GDDR6W и четырьмя HBM. Число контактов ввода/вывода у GDDR6W намного меньше, что упрощает дизайн платы. Кроме того, GDDR6W дает существенно более высокую пропускную способность на контакт. В итоге пропускная способность памяти довольно близка: 1,4 против 1,6 Тбайт/с.
По сравнению с HBM у GDDR6W есть и другие преимущества, поскольку придется идти на меньше компромиссов из-за нагрева непосредственно чипов памяти. В любом случае будет интересно посмотреть, как GDDR6W покажет себя по температурам, поскольку два слоя быстрой памяти GDDR6X вполне могут нагреваться до 100 °C, что мы видели по некоторым примерам ранее. Сложно сказать, ограничится ли GDDR6W максимум двумя слоями памяти. Стандартизация JEDEC памяти GDDR6W будет завершена во втором квартале 2022. Samsung упоминает в качестве целевых сфер ноутбуки, ускорители ИИ и HPC, а также партнеров по производству GPU. К сожалению, Samsung не упоминает, какие именно партнеры подразумеваются. Остается неизвестным и дата появления первых продуктов с памятью GDDR6W на рынке.
Подписывайтесь на группу Hardwareluxx ВКонтакте и на наш канал в Telegram (@hardwareluxxrussia).