Ранее эта новость циркулировала в виде слухов, но на текущем IDF в Пекине она превратилась в официальную информацию. Некоторые из ожидаемых в ближайшие месяцы процессоров "Haswell" получат дополнительный кэш четвертого уровня L4, который также называется EDRAM. Память Embedded DRAM будет устанавливаться дополнительно, но при этом она реализована не в виде кэша на кристалле процессора. Но и отдельными планками, как в старые добрые времена, она тоже не ставится. Память EDRAM располагается по соседству с графическим ядром GT3 у "Haswell" - в одной упаковке чипа, поэтому скорость соединения должна быть высокой. Собственно, у некоторых SoC уже используется подобная схема размещения, когда память находится рядом с кристаллом CPU.
У современных IGP основной проблемой по-прежнему является относительное медленная работа с памятью (как правило, видеопамять выделяется из общей памяти системы). С помощью EDRAM Intel желает переломить ситуацию. Ёмкость памяти будет составлять 128 Мбайт, она будет находиться по соседству с кристаллом процессора. Но память EDRAM будет использоваться только в high-end решениях GT3. Также процессоры "Haswell" с графическим ядром GT3 и памятью EDRAM будут доступны только в варианте с припаиваемой упаковкой BGA. Несколько дней назад уже были замечены первые модели CPU с памятью EDRAM. По сравнению с предшественниками без графического ядра GT3, новые процессоры будут отличаться меньшей штатной частотой и меньшим энергопотреблением. Например, Core i7-4770K будет работать на тактовых частотах от 3,5 до 3,9 ГГц с тепловым пакетом (TDP) 84 Вт. Процессор Core i7-4770R с GPU GT3 будет работать на тактовых частотах от 3,2 до 3,9 ГГц и потреблять до 65 Вт.
Точных деталей о новых моделях "Haswell" пока не появилось. Выход процессоров ожидается в ближайшие недели.