Samsung разрабатывает 4-нм техпроцесс с EUV
Как считает Samsung, в будущем гонка техпроцессов немного замедлится. Следующим этапом станет переход на 8 нм. В результате увеличится плотность расположения транзисторов и производительность чипов. Но с нынешними технологиями Samsung не сможет достичь меньших размеров структур, поэтому 8-нм техпроцесс станет последним на текущих технологиях.
Литография EUV начнется с 7-нм чипов
Следующий техпроцесс впервые будет опираться на глубокий ультрафиолет (EUV). Samsung начнет переход на EUV с 7-нм техпроцесса. В остальном будет использоваться нынешний техпроцесс FinFET, в том числе для 6- и 5-нм чипов.
И только с 4-нм чипами техпроцесс будет полностью изменен. С данного поколения Samsung планирует перейти на Multi Bridge Channel FET. Даная технология способна преодолеть физические ограничения FinFET. В качестве основы будет использоваться наноматериал.
Хотя Samsung и представила планы будущих технологий производства, точных дат компания не называет. Поэтому пока нельзя предсказать, когда мы получим первые 4-нм чипы. В любом случае, придется подождать несколько лет.