TSMC вместе с Broadcom разработала собственную технологию подложки и интерконнекта CoWoS (chip-on-wafer-on-substrate), и результат сотрудничества должен скоро воплотиться в конкретных продуктах. Особый интерес представляет размер подложки. Площадь составляет 1.700 мм², на ней будут располагаться кристаллы памяти HBM, а также 5-нм (N5) вычислительные чипы.
TSMC представила концепцию еще в середине прошлого года. Она опиралась на два чипа площадью 600 мм², к каждому было подсоединено четыре кристалла HBM (то есть восемь в сумме). В результате чипы занимали площадь 1.800 мм², они устанавливались на подложку 2.500 мм².
Теперь представлен другой дизайн с намного меньшей подложкой площадью 1.700 мм², которую наверняка проще производить. Broadcom и TSMC установили SoC с неизвестным числом ядер и шестью чипами памяти HBM. Максимальная емкость составляет 96 Гбайт, что указывает на использование памяти HBM2E со стеками высотой до 16 Hi. Пропускная способность памяти заявлена на 2,7 Тбайт/с, то есть до 460 Гбайт/с на стек HBM2E. SK Hynix и Samsung объявили соответствующие чипы памяти не так давно.
TSMC планирует использовать чипы CoWoS для HPC, 5G и сферы машинного обучения. Пока не совсем понятно, какие именно конкретные продукты представит Broadcom совместно с TSMC. В конце прошлого года Broadcom анонсировала Tomahawk 4 (BCM56990), объявив о самой большой и крупной сетевой SoC. Однако она не опирается на упаковку CoWoS.
"Broadcom is happy to have collaborated with TSMC on advancing the CoWoS platform to address a host of design challenges at 7nm and beyond," сказал Грег Дикс, вице-президент Broadcom по продуктам ASIC. "Together, we are driving innovation with unprecedented compute, I/O and memory integration and paving the way for new and emerging applications including AI, Machine Learning, and 5G Networking."
TSMC - не единственный производитель, работающий с подобными техническими реализациями. Недавно Intel анонсировала дальнейшую разработку EMIB (Embedded Multi Die Interconnect Bridge) под названием Co-EMIB, а также Omni-Directional Interconnect (ODI) для связи между кристаллами. AMD рассказала о технической реализации и проблемах современного дизайна Ryzen на основе чиплетов.
| AMD | Intel | Intel | TSMC | |
| Упаковка | MCM | EMIB | FOVEROS | CoWoS |
| Канал | - | 1 mm | - | 500 µm |
| Шарикии интерконнекта Chiplet | 130 µm | 45 µm | 36 µm | 40 µm |
| Плотность шариков | 60 / mm² | 560 / mm² | 828 / mm² | 625 / mm² |
| Интерконнект | Infinity Fabric (IF) | Advanced Interface Bus (AIB) | - | LIPINCON |
| Скорость передачи данных | 10,6 GT/s | 2 GT/s | - | 8 GB/s |
| Энергопотребление | 2 pJ/Bit | 0,3 pJ/Bit | 0,2 pJ/Bit | 0.56 pJ/bit |
| Реализация | Ryzen 3. Gen Ryzen Threadripper 3. Gen EPYC 2. Gen |
Stratix 10 Kaby Lake-G |
Lakefield | - |
Подписывайтесь на группы Hardwareluxx ВКонтакте и Facebook, а также на наш канал в Telegram (@hardwareluxxrussia).