На конференции VLSI старший технический директор CTO Intel Майк Майберри раскрыл некоторые планы чипового гиганта в рамках доклада "The Future of Compute". Причем его видение простиралось дальше нынешних технологий FinFET и будущих Gate All-Around. За пять лет чипы в массовом производстве перейдут на нанопровода и наноленты.
За планарными транзисторами не так давно последовали FinFET, на которые перешли все крупные производители чипов. Что позволило увеличить как плотность расположения транзисторов, так и скорость переключения. На первом этапе реализации Samsung, Intel и другие производители полупроводников предлагают транзисторы Gate-All-Around, у которых затвор окружает канальную область со всех сторон. Такой подход позволяет преодолеть физические ограничения FinFET и улучшить дальнейшее масштабирование производительности и плотности расположения. Следующим шагом здесь станут Multi-bridge channel FETs (MBCFETs), которые представляют собой уже вертикальный стек транзисторов.
Для транзисторов GAA требуются наноленты или нанопровода. Samsung планирует использовать для своих MBCFET широкие наноленты. И рабочие характеристики MBCFET можно менять через ширину нанолент. У FinFET точки мощности/частоты фиксированы, у MBCFET мы получаем уже кривую.
Пятилетний срок перехода к массовому производству кажется слишком оптимистичным. Samsung начинает пробное производство MBCFET в этом году. Причем речи о массовом производстве даже не идет. Как и Samsung, TSMC будет работать с нанопроводами и нанолентами с 3-нм техпроцесса.
Intel планирует выпустить первые 7-нм чипы в 2021 году. В 2023 или 2024 году планируется переход на 5 нм. По плотности упаковки технология 5 нм будет примерно соответствовать 3-нм техпроцессу Samsung и TSMC. На данный момент Intel топчется с 14 и 10 нм техпроцессами, но с переходом на 7 нм будет нажата "кнопка сброса", и Intel вернется в лидеры по техпроцессам.
Когда наши коллеги спросили Майберри о времени выхода ("Can you give us the timeline for the introduction of nanoribbon/nanowire process technology into high volume production?") , то получили следующий ответ.
"This is not a roadmap talk, so I'll be vague and say within in the next five years."
Наши коллеги Anandtech подготовили дополнительные слайды и информацию.
В любом случае, раньше 2023/2024 года переход на нанопровода не планируется. Скорее всего, речь идет о 2025. До тех пор технология FinFET будет с нами с 10-, 7- и 5-нм, после чего она останется самой успешной полупроводниковой технологий в истории.
Подписывайтесь на группы Hardwareluxx ВКонтакте и Facebook, а также на наш канал в Telegram (@hardwareluxxrussia).