Samsung анонсировала еще одну новую разработку в сфере производства полупроводников. Аморфный нитрид бора отлично подходит в качестве изолирующего слоя в полупроводниках. Разработкой использования аморфного нитрида бора занимались совместно Институт передовых технологий Самсунг (SAIT), Национальный институт науки и технологий в Ульсане (UNIST, Корея) и Кембриджский университет.
SAIT работает над новыми 2D-материалами многие годы, в том числе и графеном. Некоторые материалы имеют толщину в один атом. Кроме того, кристаллические структуры должны быть очень чистыми. Сама Samsung уже давно разрабатывает полупроводники MBCFET (Multi-Bridge Channel FET), на которых планируется изготавливать микросхемы в будущем. Технология будет запущена с 2022 года, речь там тоже идет о толщине в несколько атомарных слоев.
В будущих разработках планируется использовать аморфный нитрид бора. Аморфная форма нитрида бора (а-BN) не является кристаллической, то есть отсутствует какая-либо закономерность в расположении его атомов, мы получаем аморфную структуру молекулы. Аморфный нитрид бора изготавливается из нитрида бора с шестигранной атомарной структурой, который еще называют белым графеном за сходство с данным материалом.
У аморфного нитрида бора мы получаем очень низкую диэлектрическую проницаемость 1,78 с сильными электрическими и механическими свойствами, он может использоваться как отличный изолирующий материал между интерконнектами для минимизации помех. У вакуума диэлектрическая проницаемость составляет 1, а у германия, например, 16,6. а-BN может наноситься на подложку при довольно низкой температуре всего 400°C, что позволяет использовать его вместе с графеновыми транзисторами. Аморфный нитрид бора планируется широко использовать в техпроцессах производства DRAM и NAND на мощностях Samsung.
"To enhance the compatibility of graphene with silicon-based semiconductor processes, wafer-scale graphene growth on semiconductor substrates should be implemented at a temperature lower than 400°C." сказал Hyeon-Jin Shin, лидер графенового проекта и старший научный сотрудник SAIT. "We are also continuously working to expand the applications of graphene beyond semiconductors."
Подписывайтесь на группы Hardwareluxx ВКонтакте и Facebook, а также на наш канал в Telegram (@hardwareluxxrussia).