Волоконно-оптические кабели используются во многих сферах. Большинство обеспечивают передачу данных на большие расстояния, от многих километров до нескольких метров. Многие годы Intel работает над кремниевой фотоникой ("Silicon Photonics"), которая переносит оптическую передачу с расстояния в несколько сантиметров до считанных миллиметров и даже меньше.
Поскольку технология весьма перспективная, Intel открыла лабораторию Integrated Photonics Research Centre. Она будет централизованно заниматься разработками фотоники. Intel подчеркивает интеграцию трансиверов и передатчиков на полупроводниковые компоненты, использование в технологиях корпусировки и при соединении оптических волноводов.
Одна из сфер использования технологии не удивляет: "Research Center for Integrated Photonics for Data Center Interconnects", то есть интерконнекты в дата-центрах, и здесь Intel видит серьезный потенциал масштабирования своих продуктов.
В партнерстве с исследовательским центром Integrated Photonics Research Center состоят многие университеты, которые тоже вносят свой вклад.
Среди прочего Intel разрабатывает фотоэлектрические модуляторы и резонансные детекторы, которые обеспечивают передачу на скорости 40 Тбит/с при энергетических затратах всего 150 фДж/бит. Что касается технологий корпусировки с интерконнектом, то здесь обеспечивается плотность ввода/вывода 16 Тбайт/с/мм.
Ниже мы привели информацию других технологий для сравнения.
| Эффективность | Плотность | |
| University of California (Silicon Photonics) | 0,15 пДж/бит | 10.000 Bumps/mm² |
| TSMC (CoWoS) | 0,56 пДж/бит | 625 Bumps/mm² |
| Intel Foveros Die Interface (FDI) | 0,2 пДж/бит | 828 Bumps/mm² |
| Intel Foveros Omni | - | 1.600 Bumps/mm² |
| Intel Foveros Direct | - | 10.000+ Bumps/mm² |
| Intel EMIB | 0,3 пДж/бит | 560 Bumps/mm² |
| OpenFive D2D Interface | 0,5 пДж/бит | - |
| AMD (Интерфейс MCM IF) | 2 пДж/бит | 60 Bumps/mm² |
| AMD 3D-стек (3D V-Cache) | - | 10.000+ Bumps/mm² |
Конечно, разные технологии вряд ли стоит напрямую сравнивать между собой. Здесь следует различать, когда кристалл соединяется с подложкой, когда два кристалла соединяются между собой и когда несколько кристаллов соединены в стеке. Но общие выводы о развитии технологий сделать можно. С нескольких контактов на квадратном миллиметре технологии шагнули на уровень с 10.000 контактами и даже больше.
Расстояние между шариковыми контактами в корпусировке BGA, когда кристалл соединяется с подложкой, составляет 150 мкм. Для современных интерфейсов его удается уменьшить до 50 мкм. В случае кэша 3D V-Cache и будущих технологий можно рассчитывать на 10 мкм и меньше.
Эффективность энергопотребления зависит от многих факторов, и здесь проводить прямое сравнение сложно.
Подписывайтесь на группы Hardwareluxx ВКонтакте и Facebook, а также на наш канал в Telegram (@hardwareluxxrussia).