На конференции International Electron Devices Meeting (IEDM) IBM и Samsung представили результаты совместного исследования. Оно посвящено новой форме транзисторов, причем это не транзисторы с окружающим затвором GAA, которые сегодня разрабатывают почти все производители, в том числе IBM и Samsung, а транзисторы FinFET с другой ориентацией.
Транзисторы FinFET формируются таким образом, что они расположены на плоскости кристалла, а электрический ток проходит вдоль поверхности с одного края на другой. Транзисторы Vertical Transport Field Effect Transistor (VTFET) имеют конструкцию, перпендикулярную плоскости кристалла, ток проходит уже вертикально.
В результате транзисторы VTFET занимают намного меньше места на кристалле. Также удалось оптимизировать контактные точки транзисторов, они пропускают больший ток при меньшем энергопотреблении. IBM и Samsung видят потенциал снижения энергопотребления при переходе на VTFTE до 85%, хотя здесь не указывается, какие именно техпроцессы FinFET и VTFET сравниваются.
Для IBM транзисторы VTFET станут альтернативой GAA или FET с нанотрубками на переходный период. Однако не совсем понятно, где именно IBM собирается применять VTFET.
В начале года IBM анонсировала успешное производство первых тестовых чипов с 2-нм транзисторами. Также IBM планирует использовать нанолисты начиная с 5-нм техпроцесса, хотя Intel, например, все еще будет опираться на FinFET вплоть до техпроцесса Intel 3.
Обе компании анонсировали, что Samsung будет отвечать за производство 5-нм чипов для IBM. Нынешние Power10 и новые процессоры Telum будут производиться Samsung по 7-нм техпроцессу. Процессоры Telum базируются на архитектуре Power10, а преемники, которые IBM еще не объявлены, будут производиться по 5-нм технологии.
Подписывайтесь на группы Hardwareluxx ВКонтакте и Facebook, а также на наш канал в Telegram (@hardwareluxxrussia).