На конференции Technology Symposium 2022 TSMC рассказала о своих планах по будущим техпроцессам. Конечно, на ближайшие годы основой остаются разные варианты N3, но затем неминуем переход с транзисторов FinFETs на GAA в рамках техпроцесса N2.
С техпроцессом N2 TSMC не будет сразу переходить к технологии Backside Power Delivery (BPD), то есть подаче питания с обратной стороны подложки. Мы детально рассмотрели данную технологию вместе с анонсом новых техпроцессов Intel, причем чиповый гигант называет сквозные линии подачи питания PowerVias. Intel планирует использовать PowerVias с техпроцессом Intel 20A, где компания одновременно перейдет с транзисторов FinFET на GAA или RibbonFET. Но TSMC выбрала последовательную реализацию новых технологий. Поэтому техпроцесс N2 сначала будет реализован с классической подачей питания – по крайней мере, если верить нашим коллегам Anandtech.
До сих пор TSMC не раскрывала подробностей техпроцесса N2. Но, если верить прогнозам, нас ждут весьма консервативные оптимизации. С N2 TSMC уменьшит энергопотребление на 25-30% по сравнению с N3E. Производительность увеличится на 15-26%. Вместе с тем TSMC планирует уплотнить расположение транзисторов в 1,1 раза.
Столь скромный прогресс наверняка связан с отказом от BPD. Но TSMC, скорее всего, вновь предложит несколько вариантов N2, вполне можно ожидать один техпроцесс с BPD, который сможет существенно продвинуться вперед по характеристикам.
Intel выбрала иной путь. Компания изменит тип транзисторов с FinFET на RibbonFET и добавит PowerVias одновременно, при переходе с Intel 3 на Intel 20A.
Intel уже выполнила тестовое производство, чтобы снизить риски, но результаты не разглашаются. Поэтому вопрос рисков остается открытым.
Samsung начала производство GAA
Samsung анонсировала начало массового производства по 3-нм техпроцессу с транзисторами GAA. Скорее всего, речь идет о техпроцессе 3GAE (3 nm Gate-All-Around Early), а 3GAP (3 nm Gate-All-Around Plus) будет запущен чуть позже. Нынешний анонс позволяет Samsung объявить, что производство стартовало во втором квартале или первой половине 2022 года. По сравнению с неназванным 5-нм техпроцессом, Samsung смогла снизить энергопотребление на 45% при прежней производительности, либо увеличить производительность на 23% при прежнем энергопотреблении. Кроме того, Samsung увеличила плотность расположения транзисторов на 16%.
Также южнокорейский источник указывает, что первыми чипами по техпроцессу 3GAE станут ASIC для майнинга биткоинов. Из-за невысокой сложности и небольшого объема подобные чипы хорошо подходят для пробного производства. Скорее всего, первыми клиентами нового техпроцесса Samsung станут компании, занимающиеся майнингом.
Подписывайтесь на группу Hardwareluxx ВКонтакте и на наш канал в Telegram (@hardwareluxxrussia).