Qualcomm Snapdragon 835 – новая SoC для мобильных устройств, которая должна появиться во флагманских смартфонах 2017 года. Кроме всего прочего, новый процессор будет использовать технологию быстрой зарядки Quick Charge 4.0. Однако до сего момента большинство технической информации было скрыто от пользователей. Теперь ситуация изменилась, поскольку процессор прошел тест в GFXBench. Qualcomm использовала собственную эталонную платформу.
В первую очередь GFXBench отражает производительность GPU. В Snapdragon 835 в качестве графического ядра используется Adreno 540. По сравнению с прямым предшественником, Adreno 530 (Qualcomm Snapdragon 821), производительность увеличилась на 30%. Кроме того, можно отметить, что в Qualcomm Snapdragon 835 работают восемь ядер Kryo на частоте 2,2 ГГц. Эталонная платформа, которая использовалась для теста, представляет собой устройство с 5,9" экраном с диагональю 2.560 x 1.440 пикселей, 4 Гбайт ОЗУ и 64 Гбайт внутренней памяти.
Среди первых смартфонов на базе нового процессора должны быть Samsung Galaxy S8, LG G6 и Xiaomi Mi 6. Сама SoC производится по 10-нм техпроцессу FINFet на мощностях Samsung. Обращаем внимание на то, что Qualcomm Snapdragon 835, использовавшийся в данном тесте GFXBench, не является окончательной версией для массового рынка, поэтому ко времени выхода финального варианта SoC могут произойти некоторые изменения.