IEDM 2020: Intel удваивает плотность с помощью стекирования транзисторов

На нынешней конференции IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) Intel представила различные разработки в сфере производства полупроводников. И одна из них описывает транзисторы Self-Aligned 3D Stacked Multi-Ribbon CMOS - то есть упорядоченный стек транзисторов с нанолентами. По сути, Intel может теоретически удвоить плотность расположения транзисторов.
Хотя транзисторы современных полупроводниковых чипов уже представляют собой 3D-транзисторы FinFET, расположение на кристалле все равно планарное, то...

... читать далее