Samsung разработала изолятор для интерконнекта на основе аморфного нитрида бора

Samsung анонсировала еще одну новую разработку в сфере производства полупроводников. Аморфный нитрид бора отлично подходит в качестве изолирующего слоя в полупроводниках. Разработкой использования аморфного нитрида бора занимались совместно Институт передовых технологий Самсунг (SAIT), Национальный институт науки и технологий в Ульсане (UNIST, Корея) и Кембриджский университет.
SAIT работает над новыми 2D-материалами многие годы, в том числе и графеном. Некоторые материалы...

... читать далее