На нынешней конференции IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) Intel представила различные разработки в сфере производства полупроводников. И одна из них описывает транзисторы Self-Aligned 3D Stacked Multi-Ribbon CMOS - то есть упорядоченный стек транзисторов с нанолентами. По сути, Intel может теоретически удвоить плотность расположения транзисторов.
Хотя транзисторы современных полупроводниковых чипов уже представляют собой 3D-транзисторы FinFET, расположение на кристалле все равно планарное, то...
... читать далее
Показано с 1 по 1 из 1
-
01.01.2021, 15:14 #1
- Регистрация
- 29.10.2019
- Сообщений
- 1,414
IEDM 2020: Intel удваивает плотность с помощью стекирования транзисторов