Samsung продолжает разрабатывать 7-е поколение памяти V-NAND. Цель заключается в том, чтобы увеличить число слоев, таким образом, повысив плотность хранения данных на чипе и снизить себестоимость производства. Как указывает корейский производитель, память 7-го поколения получит 160 слоев. Пропускная способность тоже должна увеличиться.
Чтобы добиться такого числа...

... читать далее