> > > > Samsung разрабатывает память V-NAND со 160 слоями

Samsung разрабатывает память V-NAND со 160 слоями

Опубликовано:

samsungSamsung продолжает разрабатывать 7-е поколение памяти V-NAND. Цель заключается в том, чтобы увеличить число слоев, таким образом, повысив плотность хранения данных на чипе и снизить себестоимость производства. Как указывает корейский производитель, память 7-го поколения получит 160 слоев. Пропускная способность тоже должна увеличиться.

Чтобы добиться такого числа слоев, Samsung выбрала новую технологию по сравнению с предыдущими поколениями. А именно Double Stack. То есть Samsung будет упаковывать память двумя многослойными стеками. Впрочем, технология стеков не новая, ее используют разные производители.

Остается неизвестным, какую плотность хранения данных планирует достичь Samsung со 160 слоями. Число слоев - не единственный фактор, влияющий на емкость чипов. Многое зависит от качества слоев, а также от типа ячеек TLC или QLC NAND.

В ближайшие недели Samsung наверняка поделится подробностями 7-го поколения V-NAND. Будет интересно узнать дату начала массового производства, а также появления устройств на новой памяти в магазинах.

Подписывайтесь на группы Hardwareluxx ВКонтакте и Facebook, а также на наш канал в Telegram (@hardwareluxxrussia).

Мы рекомендуем ознакомиться с нашим руководством по выбору SSD. Если подбирать SSD для компьютера, то придется разбираться со многими техническими тонкостями: в спецификациях указываются контроллер, интерфейс, тип флэш-памяти, характеристики надежности и многое другое. Поэтому неопытные пользователи могут легко запутаться в подобной информации. В нашем руководстве мы рассмотрим наиболее важные характеристики и отличия, поговорим об актуальных технологиях, интерфейсах и форм-факторах. А также приведем советы экспертов.

Мы подготовили руководство по выбору лучшего SSD за свои деньги на зиму 2020 года. Оно поможет сориентироваться во всем многообразии накопителей и подобрать самый оптимальный вариант.