Страница 1: Тесты чипов памяти Samsung, Micron и Hynix на процессорах AMD Ryzen 3000
После появления процессоров Ryzen 3000 на рынке прошло несколько недель, и они стали весьма популярными среди наших читателей. Производители памяти анонсировали специальные планки для новых процессоров Ryzen и материнских плат X570. Впрочем, никто не мешает использовать данные модули памяти и с материнскими платами B450 и X470, разве что там могут потребоваться настройки вручную.
Данный обзор был подготовлен нашим форумчанином Reous.
Несмотря на внешние отличия, подобные планки памяти чаще всего оснащаются чипами DRAM, которые показали хорошую совместимость с платформами AMD. Как правило, это 8-Гбит чипы от Samsung, SK Hynix и Micron. Мы получили возможность протестировать несколько комплектов G.Skill и Crucial.
Ниже приведен краткий обзор трех наиболее распространенных чипов на рынке:
Samsung 8 Гбит B-Die:
Данные чипы типа K4A8G085WB изготавливаются по 20-нм техпроцессу. Ранее они показали дружественность к разгону, тактовые частоты почти линейно масштабируются с напряжением и задержками. По сравнению с приведенными ниже чипами, здесь получается достичь меньших задержек, что положительно сказывается на производительности. К сожалению, производство чипов B-Die прекращено, поэтому в ближайшие месяцы они уйдут с рынка. В соответствующей ветке форума перечислены планки памяти на чипах B-Die.
SK Hynix 8 Гбит C-Die:
Чипы типа H5AN8G8NCJR на 8 Гбит производятся по 18-нм техпроцессу, они относятся к третьему поколению после MFR и AFR. Потенциал разгона высокий, но по сравнению с Samsung B-Die придется принести в жертву задержки, такие как tRCDRD, tRP или tRFC. Данные чипы, как правило, встречаются на планках с заявленным режимом до DDR4-3600. Здесь мы тоже дадим ссылку на ветку форума, где можно подробнее ознакомиться с планками на чипах SK Hynix.
Micron 8 Гбит E-Die:
Чаще всего на рынке можно встретить планки памяти на 8 Гбит чипах MT40A1G8SA-075:E (D9VPP), которые производятся по 19-нм техпроцессу. В начале года они вызывали сенсацию, поскольку показали рекордные значения разгона. Из-за хороших возможностей разгона и низкой цены данные планки рекомендуются к покупке. Но и здесь по сравнению с чипами Samsung B-Die придется принести в жертву некоторые тайминги, такие как tRCDRD или tRFC. Дополнительная информация приведена в ветке форума.
| CPU | AMD Ryzen 7 3700X (на фиксированной частоте 4,1 ГГц) |
| Материнская плата | ASUS ROG Strix B450-I Gaming BIOS 2703 ABB |
| ASUS ROG Strix X570-E Gaming BIOS 1005 ABB |
|
| HDD | ADATA XPG SX6000 Lite 128GB M.2 Samsung SSD 850 EVO 250GB |
| ОС | Windows 10 (Build 1903) |
| Видеокарта | XFX Radeon R9 270X Black Edition |
| Оперативная память | G.Skill Trident Z DDR4-3600 CL15-15-15 Samsung 8Gbit B-Die, Single Rank F4-3600C15D-16GTZ |
| G.Skill Trident Z DDR4-4000 CL19-19-19 Samsung 8Gbit B-Die, Dual Rank F4-4000C19D-32GTZKK |
|
| Crucial Ballistix Elite DDR4-4000 CL18-19-19 Micron 8Gbit E-Die, Single Rank BLE2K8G4D40BEEAK |
|
| Crucial Ballistix Sport DDR4-3000 CL15-16-16 Micron 8Gbit E-Die, Dual Rank BLS2K16G4D30AESB |
|
| G.Skill Trident Z Neo DDR4-3600 CL16-19-19 Hynix 8Gbit C-Die, Single Rank F4-3600C16D-16GTZNC |
|
| G.Skill SniperX Camouflage DDR4-3600 CL19-20-20 Hynix 8Gbit C-Die, Dual Rank F4-3600C19D-32GSXKB |
Все тесты проводились на фиксированной частоте CPU 4,10 ГГц при напряжении 1,325 В. Такой шаг был сделан, чтобы тактовые частоты не менялись в зависимости от температуры CPU, что может негативно сказаться на результате. Для тактовых частот до DDR4-3733 включительно использовалась материнская плата ROG Strix X570-E Gaming, более высокие тактовые частоты от DDR4-4200 были получены на материнской плате ROG Strix B450-I Gaming. В качестве BIOS использовались версии с патчем ComboPi 1.0.0.3 ABB. Мы тестировали одноранговые планки 2x 8 Гбайт и двуранговые 2x 16 Гбайт на чипах памяти Samsung, SK Hynix и Micron.
Мы проводили разные тесты в режимах DDR4-3200, DDR4-3600, DDR4-3733, а также DDR4-4200+ при возможности. Все комплекты за исключением однорангового Micron не смогли дать тактовые частоты выше DDR4-4200, либо чипы памяти не позволяли такие высокие частоты, либо BIOS не оптимизирована. Мы выставляли максимальное напряжение VDIMM 1,50 В для оптимизации задержек. Все тайминги приведены в следующей таблице.
