Страница 1: Тесты чипов памяти Samsung, Micron и Hynix на процессорах AMD Ryzen 3000

amd aced5f2ef6a940bb85cf3a603d90d5f9

После появления процессоров Ryzen 3000 на рынке прошло несколько недель, и они стали весьма популярными среди наших читателей. Производители памяти анонсировали специальные планки для новых процессоров Ryzen и материнских плат X570. Впрочем, никто не мешает использовать данные модули памяти и с материнскими платами B450 и X470, разве что там могут потребоваться настройки вручную.

Данный обзор был подготовлен нашим форумчанином Reous.

Несмотря на внешние отличия, подобные планки памяти чаще всего оснащаются чипами DRAM, которые показали хорошую совместимость с платформами AMD. Как правило, это 8-Гбит чипы от Samsung, SK Hynix и Micron. Мы получили возможность протестировать несколько комплектов G.Skill и Crucial.

Ниже приведен краткий обзор трех наиболее распространенных чипов на рынке:

Samsung 8 Гбит B-Die:

Данные чипы типа K4A8G085WB изготавливаются по 20-нм техпроцессу. Ранее они показали дружественность к разгону, тактовые частоты почти линейно масштабируются с напряжением и задержками. По сравнению с приведенными ниже чипами, здесь получается достичь меньших задержек, что положительно сказывается на производительности. К сожалению, производство чипов B-Die прекращено, поэтому в ближайшие месяцы они уйдут с рынка. В соответствующей ветке форума перечислены планки памяти на чипах B-Die.

SK Hynix 8 Гбит C-Die:

Чипы типа H5AN8G8NCJR на 8 Гбит производятся по 18-нм техпроцессу, они относятся к третьему поколению после MFR и AFR. Потенциал разгона высокий, но по сравнению с Samsung B-Die придется принести в жертву задержки, такие как tRCDRD, tRP или tRFC. Данные чипы, как правило, встречаются на планках с заявленным режимом до DDR4-3600. Здесь мы тоже дадим ссылку на ветку форума, где можно подробнее ознакомиться с планками на чипах SK Hynix.

Micron 8 Гбит E-Die:

Чаще всего на рынке можно встретить планки памяти на 8 Гбит чипах MT40A1G8SA-075:E (D9VPP), которые производятся по 19-нм техпроцессу. В начале года они вызывали сенсацию, поскольку показали рекордные значения разгона. Из-за хороших возможностей разгона и низкой цены данные планки рекомендуются к покупке. Но и здесь по сравнению с чипами Samsung B-Die придется принести в жертву некоторые тайминги, такие как tRCDRD или tRFC. Дополнительная информация приведена в ветке форума.

Тестовая конфигурация
CPU AMD Ryzen 7 3700X (на фиксированной частоте 4,1 ГГц)
Материнская плата ASUS ROG Strix B450-I Gaming
BIOS 2703 ABB
  ASUS ROG Strix X570-E Gaming
BIOS 1005 ABB
HDD ADATA XPG SX6000 Lite 128GB M.2
Samsung SSD 850 EVO 250GB
ОС Windows 10 (Build 1903)
Видеокарта XFX Radeon R9 270X Black Edition
Оперативная память G.Skill Trident Z DDR4-3600 CL15-15-15
Samsung 8Gbit B-Die, Single Rank
F4-3600C15D-16GTZ       
  G.Skill Trident Z DDR4-4000 CL19-19-19
Samsung 8Gbit B-Die, Dual Rank
F4-4000C19D-32GTZKK
  Crucial Ballistix Elite DDR4-4000 CL18-19-19
Micron 8Gbit E-Die, Single Rank
BLE2K8G4D40BEEAK
  Crucial Ballistix Sport DDR4-3000 CL15-16-16
Micron 8Gbit E-Die, Dual Rank
BLS2K16G4D30AESB
  G.Skill Trident Z Neo DDR4-3600 CL16-19-19
Hynix 8Gbit C-Die, Single Rank
F4-3600C16D-16GTZNC
  G.Skill SniperX Camouflage DDR4-3600 CL19-20-20
Hynix 8Gbit C-Die, Dual Rank
F4-3600C19D-32GSXKB

Все тесты проводились на фиксированной частоте CPU 4,10 ГГц при напряжении 1,325 В. Такой шаг был сделан, чтобы тактовые частоты не менялись в зависимости от температуры CPU, что может негативно сказаться на результате. Для тактовых частот до DDR4-3733 включительно использовалась материнская плата ROG Strix X570-E Gaming, более высокие тактовые частоты от DDR4-4200 были получены на материнской плате ROG Strix B450-I Gaming. В качестве BIOS использовались версии с патчем ComboPi 1.0.0.3 ABB. Мы тестировали одноранговые планки 2x 8 Гбайт и двуранговые 2x 16 Гбайт на чипах памяти Samsung, SK Hynix и Micron.

Мы проводили разные тесты в режимах DDR4-3200, DDR4-3600, DDR4-3733, а также DDR4-4200+ при возможности. Все комплекты за исключением однорангового Micron не смогли дать тактовые частоты выше DDR4-4200, либо чипы памяти не позволяли такие высокие частоты, либо BIOS не оптимизирована. Мы выставляли максимальное напряжение VDIMM 1,50 В для оптимизации задержек. Все тайминги приведены в следующей таблице.