Планки на чипах памяти Samsung B-Die снискали заслуженную популярность, но они уже не производятся. Поэтому энтузиасты начали поиск альтернатив. Мы вооружились новым процессором из линейки Ryzen 3000, после чего провели тесты разных чипов на 16 Гбит. Чем они отличаются от обычных на 8 Гбит, и какие результаты можно от них ожидать? Об этом мы тоже поговорим в статье.
Многие производители памяти уже перешли к выпуску чипов на 16 Гбит по новым техпроцессам, соответствующие планки начали появляться в продаже. Благодаря переходу на новые технологии производства удалось удвоить емкость, поэтому на рынке постепенно появляются 16-Гбайт односторонние и 32-Гбайт двусторонние планки памяти. Пока что все производители для 16-Гбит чипов используют корпусировку Dual Die с двумя кристаллами, поэтому и формат новых чипов отличается от старых. На фотографии ниже показаны чипы Samsung 8 Гбит D-Die (вверху) и Samsung 16 Гбит A-Die (внизу).
Подписывайтесь на группы Hardwareluxx ВКонтакте и Facebook, а также на наш канал в Telegram (@hardwareluxxrussia).
Для теста памяти мы использовали следующую конфигурацию.
- CPU: AMD Ryzen 5 3600X
- Материнская плата: ASUS ROG Strix X570-I Gaming (BIOS 1404 Agesa 1.0.0.4b)
- HDD: ADATA XPG SX6000 Lite 128 GB M.2
- OS: Windows 10 (Build 1903)
Поскольку мы фокусируемся на тестах оперативной памяти, ниже приведены спецификации каждого комплекта:
Corsair Vengeance LPX DDR4-3000 CL15-17-17 (CMK64GX4M2C3000C15)
- Hynix 16 Gbit CMR
Corsair Vengeance LPX DDR4-3000 CL16-20-20 (CMK64GX4M2D3000C16)
- Micron 16 Gbit B-Die
Samsung Original UDIMM DDR4-2933 CL21-21-21 (M378A4G43AB2-CVF)
- Samsung 16 Gbit A-Die
Целью теста было определить наименьшие задержки при фиксированных частотах, а также оценить производительность в тестах Aida64 Cache и Memory Benchmark. Мы тестировали частоты DDR4-3200/3600/3800 и DDR4-4000. Напряжение VDIMM было выставлено на 1,45 В. Стабильность работы памяти мы проверяли с помощью утилиты Karhu RAMTest. Время теста выставлялось на 1000%, что соответствует примерно часу.
Ниже приведены задержки, которые нам удалось получить.
С чипами Micron и Samsung мы получили почти идентичные задержки. К сожалению, с чипами Samsung система не загрузилась в режиме DDR4-4000. В случае чипов Hynix тайминги иногда оказывались лучше, в том числе и основные.
Более высокое напряжение VDIMM 1,45 В вместо 1,35 В или 1,20 В сказывается на результатах. В случае всех чипов значение CL масштабировалось с напряжением. В случае Hynix удалось также улучшить задержки RCD, RP и RAS, хотя и незначительно.
Со всеми чипами на низких значениях RCDRD или RP система загружалась, но стабильную работу мы получили только с более высокими значениями. Особенно это было заметно с чипами Samsung и Hynix. Например, можно было загрузиться с памятью Samsung в режиме DDR4-3600 с задержками CL17-17-21-17, но стабильность работы достигалась лишь при увеличении RP до 21.
Еще один важный фактор производительности - tRFC. Чем меньше значение, тем выше производительность.
| Hynix CMR | Micron B-Die | Samsung A-Die | |
| tRFC | 360 нс | 320 нс | 320 нс |
Чипы Micron и Samsung показали одинаковый уровень, как и в случае основных задержек. К сожалению, чипам Hynix потребовалось намного большая задержка tRFC, что уничтожило преимущество меньших основных таймингов. У популярных чипов Samsung 8 Гбит B-Die, например, эту задержку можно снизить до 140 нс.
Пропускная способности и задержки
Утилита Aida64 отображает сведения о конфигурации системы. Также она содержит встроенные тесты производительности кэша и памяти, которые весьма популярны для оценки производительности. Можно оценить скорость чтения, записи, копирования, а также задержки памяти.
AIDA64
Пропускная способность чтения
AIDA64
Пропускная способность копирования
При копировании и чтении чипы показали близкую производительность при равных тактовых частотах. Чипы Hynix не выигрывают от меньших основных задержек, поскольку они замедляются из-за высокого значения tRFC.
Результаты DDR4-4000 оказались между DDR4-3600 и DDR4-3800, поскольку система Ryzen вышла из синхронного режима. В результате контроллер памяти работал на частоте в два раза ниже (для подробностей рекомендуем наш тест AMD Ryzen 3700X и 3900X).
AIDA64
Задержки
С задержками ситуация похожая. На равных тактовых частотах чипы памяти дают близкие результаты. Разве что выделяется режим DDR4-3200 у чипов памяти Samsung. Здесь мы получаем на 1,2 нс или 1,9 нс меньшие задержки по сравнению с чипами Micron или Hynix. Поскольку тайминги модулей почти идентичны, причину назвать сложно.
В таблице ниже приведен полный список используемых таймингов.
У всех трех планок памяти нет сенсора для определения температуры. Данный тест интересен, поскольку позволяет определить предел стабильности планок в зависимости от температуры. Но мы прикрепили датчик температуры напрямую к 16-Гбит чипу.
Мы специально приглушили вентиляцию корпуса. Планки памяти напрямую не обдувались. Мы выставили режим DDR4-3200 CL16-19-19, после чего для нагрузки памяти запустили тест Karhu RAM. После увеличения температуры до 58 °C в тесте Karhu начали появляться ошибки.
Заключение
Новые чипы на 16 Гбит отлично соответствуют нынешней потребности рынка в увеличении емкости памяти. В результате даже материнские платы ITX с двумя слотами DIMM можно оснастить до 64 Гбайт ОЗУ, а в случае четырех слотов мы получаем емкость до 128 Гбайт. Максимальные частоты зависят от качества чипов, контроллера памяти и раскладки подключения памяти на материнской плате.
Производители уже объявили первые комплекты с тактовыми частотами от DDR4-3600 до DDR4-4000, они постепенно появляются на рынке.
По производительности все три типа чипов памяти очень близки друг к другу, причем все они показали хороший потенциал разгона. Как можно видеть по тестовым результатам, мы не смогли добиться таких же низких таймингов, что и в случае многих чипов 8 Гбит. Так что если вам не нужны высокие емкости, а производительность памяти требуется максимальная, лучше использовать старые добрые чипы на 8 Гбит. Посмотрим, улучшат ли производители результаты в будущих версиях чипов.
Преимущества 16 Гбит чипов памяти:
- Большая емкость
- Имеется потенциал разгона
Negative 16 Гбит чипов памяти:
- Пока скудно доступны на рынке
- Придется пойти на жертвы по таймингам
- (Пока) высокая цена
Многие производители памяти, в том числе Corsair, Crucial и G.Skill, уже объявили новые планки и комплекты. В ближайшие недели доступность на рынке должна улучшиться, что наверняка положительно скажется на ценах.
Обновление
Форумчание немецкого Hardwareluxx получили новые результаты производительности. Использовался комплект Corsair 2x32 GB 3000 CL15 на чипах Hynix 16 Гбит CMR. Планки работали на платформе Intel. Память удалось разогнать до DDR4-4133, хотя потребовались настройки вручную. Пришлось выставить сравнительно высокие уровни VCCIO и VCCSA, а также tRFC. В режиме DDR4-4266 система уже не загружалась. Режим DDR4-4200 был вполне возможен, однако с ним терялась стабильность.
В случае DDR4-3600 C16 следует сделать примечание: вторичные тайминги можно было уменьшить еще сильнее. Но на системе Intel нельзя управлять tRP отдельно от tRCD. Поэтому пришлось довольствоваться таймингами 16-20-20 вместо 16-19-20. С задержками 16-19-19 тесты стабильности уже не проходили. Зазор между нестабильной и стабильной работой системы был не очень большой. Но либо планки сразу же выдавали ошибки, либо могли вечность работать на выставленных задержках.
Shadow of the Tomb Rainer
1.280 x 720 пикселей
Как можно видеть по результатам тестов, оптимальная игровая производительность достигалась уже на 3600C16. Проблема с чипами CMR в том, что основные задержки приходилось поднимать, по крайней мере, на один шаг каждые 133 МГц. Что нивелирует преимущество по тактовым частотам. На производительности существенно сказываются tRP и tRCP, а также tRFC.
Второе обновление
В случае 16-Гбайт модулей появилось небольшое обновление, поскольку в рознице стали доступны еще две модели планок. В случае ADATA Premier DIMM на 16 GB (DDR4-2666, CL19-19-19-43) уровень разгона примерно соответствует 32-Гбайт модулям. Используются чипы от SpecTek (подразделение Micron).
С модулями ADATA Premier DIMM на 16 Гбайт возможна существенно более высокая тактовая частота во время процесса загрузки, но требуется корректировка задержек. Для DDR4-4600+ необходимо выставить более высокие значения tRCDRD и tRP. Но BIOS позволяет указать максимум 27. С данными значениями удается загрузиться в режиме DDR4-4866.
Планки Samsung M-Die в магазинах:
Кроме того, в магазинах появились SSamsung DIMM 16 GB (DDR4-2666, CL19-19-19) (от 4.100 ₽). Данные планки опираются на M-Die. У нас пока нет результатов разгона этих модулей.