Samsung рассказала о грядущих технология производства чипов, в том числе и о техпроцессе 3GAE. Под названием 3GAE производитель подразумевает новый 3-нм техпроцесс, который должен обеспечить существенный рывок по производительности и эффективности.
Samsung обещает, что 3-нм 3GAE станет самым существенным шагом из всех техпроцессов за последние годы. Конечно, за прошедшие годы производители постоянно уменьшали шаг техпроцесса, но в случае 3 нм нас ждут другие инновации. Например, кроме снижения размера транзисторов Samsung больше не будет использовать FinFET, перейдя на нанослои (nanosheet), которые позволяют затвору полностью окружить проводник.
Данная технология позволит уменьшить площадь чипа на 45% по сравнению с нынешним 7-нм техпроцессом. То есть производители чипов смогут разместить существенно больше транзисторов на прежней площади кристалла, что позволит увеличить производительность. В частности, указывается прирост производительности до 30%. Вместе с тем увеличится и эффективность, чипы будут потреблять на 50% меньше, чем современные решения.
Данные преимущества помогут, в первую очередь, при производстве мобильных процессоров для смартфонов. С одной стороны, можно рассчитывать на прирост производительности. С другой стороны, на большее время автономной работы. Samsung распространяет Process Design Kit (PDK) v0.1 для 3-нм техпроцесса еще с апреля, что позволяет разработчикам чипов начать работу над новыми моделями. Кроме того, Samsung сообщила об успешном пробном производстве, на конвейере были получены первые работающие чипы.
Samsung наметила переход на 3-нм техпроцесс на 2021 год. Поскольку для нового техпроцесса можно использовать существующее оборудование, вряд ли он приведет к существенным затратам.