> > > > Производство популярной памяти Samsung B-Die прекращено: новые M-Die и A-Die будут быстрее

Производство популярной памяти Samsung B-Die прекращено: новые M-Die и A-Die будут быстрее

Опубликовано:

samsung-ddr4Одна из самых популярных веток на немецком форуме Hardwareluxx посвящена списку планок памяти на модулях Samsung 8Gbit B-Die. В ней приведены почти все модули памяти и комплекты производителей, использующие Samsung B-Die.

Samsung 8Gbit B-Die представляют собой чипы памяти DDR4 со спецификацией K4A8G045WB (PDF). Их можно встретить на различных модулях памяти. С восемью чипами на одной стороне возможна емкость 8 Гбайт (одноранговый модуль), с 16 чипами - емкость 16 Гбайт (двуранговый модуль).

Данная память зарекомендовала себя как универсальная и дружественная к разгону. Тактовые частоты масштабируются почти линейно с задержками и напряжениями, то есть можно выбрать высокие частоты с ослабленными задержками и низким напряжением, либо высокие частоты с минимальными задержками на более высоком напряжении. Планки, оснащенные данными чипами памяти, показали отличную совместимость с процессорами AMD Ryzen, после обновлений AGESA они обычно разгоняются до высоких тактовых частот.

За B-Die последуют M-Die и A-Die

Samsung недавно объявила, что в ближайшем времени начнет производство третьего поколения чипов DRAM класса 1z. В документации Product Guide в мае 2018 Samsung уже отмечала, что чипы B-Die рано или поздно уступят место другим. Похоже, это как раз и произошло - чипы достигли состояния EOL (End of Life), что означает прекращение производства. Возможно, причина кроется в том, что Samsung планирует перевести производство с 20 нм на меньший техпроцесс.

Если верить китайским источникам, чипы M-Die производятся по техпроцессу 1y нм (класс 1y), причем они уже перешли на стадию массового производства. Чипы A-Die достигли этапа тестирования в первом квартале 2019. Помимо меньшего техпроцесса у новых чипов есть другое преимущество - они позволяют удвоить емкость. Переход с техпроцесса 20 нм на 1y нм наверняка позволит выжать более высокие тактовые частоты. В результате мы получим односторонние модули на 16 Гбайт, двусторонние на 32 Гбайт и крупные односторонние на 32 Гбайт.

Скорее всего, первые модули на чипах M-Die уже начнут поступать в продажу в мае. Но пока нет каких-либо подробностей о тактовых частотах и других спецификациях.

Насчет чипов A-Die известно еще меньше. Они должны производиться по новому и улучшенному техпроцессу 1z нм (класс 1z), поэтому и позиционироваться чипы будут выше M-Die. Но технических подробностей чипов A-Die пока нет. Вероятно, пройдет какое-то время, прежде чем планки с чипами A-Die появятся на рынке. Скорее всего, ждать придется не меньше шести месяцев.

В любом случае, лето будет весьма интересным с точки зрения рынка памяти. Кроме чипов M-Die и A-Die от Samsung можно ожидать E-Die от Micron и C-Die от SK Hynix. После того, как последние модули B-Die уйдут с рынка, начнется гонка за емкость и производительность. Будет интересно посмотреть, обеспечат ли чипы M-Die схожий потенциал производительности и разгона.