Шестое поколение Xeon, также известное как Granite Rapids, будет выпущено в этом году. Вместе с новыми процессорами Intel хочет представить еще один класс памяти: MCRDIMM. При скорости 8.800 MT/s она должна быть не только быстрее DDR5-6400, которая предположительно будет поддерживаться в этом поколении, но и будет обеспечивать большую емкость.
Intel разработала стандарт совместно с несколькими производителями DRAM, такими как Sk hynix и Micron. Компания Renesas поставляет необходимые PMIC, концентраторы SPD, RCD и буферы и, таким образом, также участвует в разработке.
В этом году на GTC24, собственной выставке NVIDIA, где была представлена архитектура Blackwell для будущих ускорителей, Micron продемонстрировала так называемые "Tall Module" MCRDIMM емкостью 128 и 256 ГБ. Планки подобной емкости, предположительно, будут использоваться в серверах. До сих пор мы видели только инженерные образцы емкостью 64 ГБ.
Конечно, такой высокий форм-фактор не подойдет для серверов 1U, поэтому Micron планирует выпускать модули меньшей высотой.
Показанные Micron модули основаны на чипах DRAM емкостью 32 Гбит каждый. Для модулей меньшей высоты Micron будет использовать так называемые чипы с двойным стеком, емкость которых составит 64 Гбит на чип. С их помощью Micron сможет достичь вдвое большей емкости на той же площади. Однако охлаждать такие модули, конечно, будет сложнее.
История MCRDIMM
MCR расшифровывается как Multiplexer Combined Ranks. «Фишкой» MCRDIMM является буферная память. Чипы памяти организованы в два ранга, каждый из которых передает в буфер 64 байта. Оттуда уже 128 байт отправляются в процессор. Одновременно получается считывать данные с двух рангов модуля, что удваивает пропускную способность.
MCR DIMM выйдут с частотой 8.800 MT/s, а в следующих поколениях поднимутся до 12.000 MT/s и 16.000 MT/s. Классическая память DDR5, вероятно, начнет работать в этом году со скоростью 6.400 MT/s для шестого поколения Xeon, также известного как Granite Rapids. Благодаря удвоению скорости передачи данных за счет мультиплексирования пропускная способность MCDRIMM может увеличиваться значительно быстрее, чем в случае с DDR5.
К недостаткам модулей MCR DIMM можно отнести дополнительную задержку порядка 2-3 нс и несколько большее тепловыделение планок. На конференции Flash Memory Summit компания Intel сравнила модули RDIMM со скоростью 4.400 MT/s и MCR DIMM со скоростью 8.800 MT/s. Объем памяти в каждом случае составлял 64 Гбайт. Если для модулей RDIMM энергопотребление было 9 Вт, то для MCR DIMM - 16,5 Вт. Удвоение пропускной способности при увеличении энергопотребления «всего» на 80%, конечно, звучит неплохо.
Но тем временем RDIMM со скоростью 6.400 MT/s также должны оказаться в диапазоне 9 Вт, и тогда преимущество MCR значительно уменьшится. Если же платформа Birch Stream для следующего поколения Xeon будет выпущена с DDR5-6400, то преимущества MCR станут еще меньше.
В этом году Intel представит новую платформу Xeon вместе с MCRDIMM. Тогда мы наверняка получим ответы на поставленные здесь вопросы.
Подписывайтесь на группу Hardwareluxx ВКонтакте и на наш канал в Telegram (@hardwareluxxrussia).