Тест и обзор: Samsung SSD 750 EVO – новые бюджетные накопители

Страница 2: Samsung SSD 750 EVO | В деталях

После вскрытия накопителя сразу же обращаешь внимание на высокую плотность современной флэш-памяти – плата занимает лишь малую часть доступного пространства в 2,5-дюймовом корпусе. Квадратный чип у обеих моделей – фирменный контроллер MGX. Отдельного чипа памяти DRAM не используется, 256-Мбайт кэш DRAM интегрирован напрямую в контроллер.

Остается флэш-память, тоже произведенная Samsung. К сожалению, используется не новейшая память Samsung 3D V-NAND, а обычная 2D-память, изготавливаемая по 16-нм техпроцессу. Память для хранения данных использует трехбитные ячейки (TLC). У 120-Гбайт накопителя установлен один чип памяти, у более емкой 250-Гбайт версии добавлен еще один чип памяти сзади платы.

Приятно, что Samsung решила поддержать шифрование AES вместе с технологиями TCG Opal и eDrive даже у модели начального уровня 750 EVO. У Crucial BX200, например, убраны все функции шифрования, которые имеются у модели MX200 для массового рынка.

Samsung для SSD 750 EVO указывает расчетную нагрузку записи 35 TBW для 120-Гбайт модели и 70 TBW для 250-Гбайт накопителя. В случае 850 EVO нагрузка составляет 75 TBW для версии на 250 GB. На практике обе линейки наверняка способны выдержать значительно большую нагрузку, производители довольно консервативно подходят к обозначению максимальной нагрузки записи для накопителей потребительского класса – в том числе и по той причине, чтобы держать достаточную дистанцию от корпоративных моделей.

Чтобы обеспечить кратковременный прирост производительности записи, многие производители прибегают к кэшу псевдо-SLC. Samsung рекламирует данную функцию под названием TurboWrite. Часть памяти TLC адресуется в режиме SLC, то есть программируется только одним битом, а не тремя. Кэш значительно ускоряет операции записи, поскольку в режиме SLC ячейки программируются намного быстрее. Ниже мы оценим влияние кэша TurboWrite: в первом столбце мы проводили запись и измеряли скорость первые пять секунд. Во втором столбце мы проводили запись на протяжении 60 секунд, но измеряли скорость на протяжении пяти последних секунд.

Пока данные записываются в кэш, оба накопителя дают сравнимую высокую скорость записи. Но после заполнения кэша скорость падает, у 120-Гбайт накопителя падение намного сильнее, чем у более емкой 250-Гбайт модели. В повседневных сценариях кэш TurboWrite обещает существенный прирост производительности, чего нельзя сказать о продолжительных операциях записи.