Компания Samsung объявила о начале серийного производства чипов eUFS на 512 Гбайт. Они обеспечат в два раза большую ёмкость по сравнению с предыдущим вариантом и позволят производителям смартфонов и планшетов сэкономить место для других компонентов. Для того, чтобы оснастить соответствующее устройство 512 Гбайт внутренней памяти нужно будет установить всего одну микросхему. Сэкономленное место можно использовать, например, для увеличения ёмкости аккумулятора.
Для обеспечения высокой плотности производитель использует стекируюмую память V-NAND или 3D-NAND в случае с другими производителями. Для нового поколения чипов Samsung использует 64 слоя, причем контроллер памяти находится в этой же упаковке. Предыдущий чип на 256 Гбайт состоял из 48 слоев.
Что касается скорости, то здесь Samsung называет до 820 Мбайт/с для чтения и до 255 Мбайт/с для записи. Этих значений должно быть достаточно для современных смартфонов, хотя сам по себе стандарт UFS позволяет добиться и более высокой пропускной способности.
Совсем недавно компания Toshiba также объявила о выходе чипов UFS нового поколения. Однако в данном случае японский производитель выпускает 64-слойные устройства на 256 Гбайт, которые проигрывают новым чипам Samsung по ёмкости.