Сегодня только Samsung выпускает флэш-память Stacked Memory для SSD, но в будущем ситуация изменится. Две компании, Toshiba и SanDisk, объявили о скором производстве стекируемой памяти. Чипы памяти, в отличие от Samsung, будут использовать 48 слоев. Для сравнения, Samsung во втором поколении использует, максимум, 32 слоя. Но чипы могут хранить на ячейку только 2 бита, максимальная ёмкость составляет 128 Гбит. Конкурент Samsung, между тем, фокусируется на технологии TLC (3 бита на ячейку), поэтому ему удается и с меньшим числом слоев достигать ёмкости 128 Гбит на чип.
Но пройдёт некоторое время, прежде чем чипы флэш-памяти NAND от Toshiba и SanDisk появятся в конечных продуктах. Серийное производство намечено на 2016. К тому времени будет запущен новейший завод Fab 2. Первые образцы памяти 3D NAND, если верить двум компаниям, появятся во второй половине года.
Кроме Samsung и теперь Toshiba вместе с SanDisk, стекируемую память разрабатывают и Intel совместно с Micron. Пока неизвестно, когда Micron начнём массовое производство памяти 3D NAND. Скорее всего, ждать осталось недолго. Возможно, в ближайшем будущем мы получим падение цен на SSD. По крайней мере, себестоимость производства благодаря новым разработкам должна снизиться.