Вчера стало известно, что Toshiba и SanDisk начинают производство 3D NAND. Теперь Micron Technology и Intel объявили о доступности технологии 3D NAND, которая позволяет создавать флэш-память с самым высоким в мире уровнем плотности размещения ячеек памяти.
Новая технология 3D NAND, совместно разработанная Intel и Micron, с высочайшим уровнем точности размещает слои ячеек для создания решений хранения данных, которые будут иметь в 3 раза большую ёмкость по сравнению с устройствами на базе технологии NAND. Это позволяет хранить больше данных при более компактных размерах, что даёт возможность реализовать преимущества снижения расходов и энергопотребления, и повышения производительности как для потребительских мобильных устройств, так и для ресурсоёмких корпоративных сред.
Одним из наиболее важных аспектов этой технологии является разработка принципиально новых ячеек памяти. Intel и Micron выбрали ячейки с плавающим затвором, универсальную технологию, которая на протяжении многих лет использовалась при массовом производстве планарной флэш-памяти. Этот проект стал первым примером использования ячеек с плавающим затвором для трёхмерной памяти на базе технологии 3D NAND. Кроме того, такой подход обеспечил более высокую производительность, качество и надёжность.
Новая технология 3D NAND создаёт 32 слоя ячеек памяти, что позволяет обеспечить 256 Гбит для типа MLC и 384 Гбит для типа TLC. Увеличенная ёмкость даёт возможность создавать твёрдотельные накопители размером с пластинку жевательной резинки с более чем 3,5 Тбайт для хранения данных и стандартные 2,5" твёрдотельные накопители, на которых можно хранить более 10 Тбайт данных. Поскольку более высокая ёмкость обеспечивается за счёт установки ячеек друг на друга, размеры отдельных ячеек могут быть значительно больше. Предполагается, что это позволит увеличить производительность и срок службы и в будущем использовать технологию TLC в центрах обработки данных.
MLC-версия (256 Гбит) памяти 3D NAND уже поставляется отдельным партнёрам в виде образцов, а тестовые поставки TLC-версии (384 Гбит) начнутся уже весной. Пробные пуски производственной линии уже начались, серийное производство новой продукции запланировано на четвёртый квартал этого года. Компании также разрабатывают собственные линии для производства твёрдотельной продукции на базе технологии 3D NAND. Предполагается, что эта продукция выйдет на рынок в следующем году.