Компания Toshiba представила новое поколение чипов BiCS FLASH на основе трёхмерных ячеек памяти. Новинка стала первым в мире 256-гигабитным (32-гигабайтным) 48-слойным устройством BiCS и использует передовую технологию TLC с тремя битами в каждой ячейке. Поставки образцов начнутся в сентябре 2015 года.
Чипы BiCS FLASH создаются на основе продвинутого процесса 48-слойной упаковки, что позволяет значительно увеличить ёмкость памяти, улучшить надёжность чтения и записи, а также увеличить скорость работы по сравнению с двумерной памятью NAND Flash. Новые 256-гигабитные чипы подходят для самых разных устройств: SSD-накопителей, смартфонов, планшетов и карт памяти, а также корпоративных SSD для дата-центров.
Компания Toshiba анонсировала BiCS FLASH в 2007 году и с тех пор продолжала оптимизировать технологию для массового производства. Японский производитель считает, что в следующем году рынок флеш-памяти значительно возрастет, поэтому активно выступает за переход на BiCS FLASH. Продуктовая линейка новых чипов включает наиболее ёмкие модели для самых требовательных прикладных областей, таких как SSD.
Компания Toshiba готовится начать массовое производство BiCS FLASH на новой фабрике Fab2 объекта Yokkaichi Operations. Постройка фабрики Fab2, заточенной под производство чипов флеш-памяти, завершится в первой половине 2016 года.