SK Hynix объявила четвертое поколение 3D NAND с 72 слоями
Кроме более высокой емкости к преимуществам новой памяти можно отнести снижение себестоимости производства. SK Hynix говорит об экономии 30% по сравнению с третьим поколением. Также была улучшена производительность, прирост составил 20% по сравнению с предшественником.
Массовое производство четвертого поколения памяти 3D NAND от SK Hynix запланировано на вторую половину года. Позднее должны выйти более емкие чипы памяти на 512 Гбит, производитель планирует представить их к концу января 2018.