Компания Samsung заявила о начале производства памяти V-NAND четвертого поколения. Изначально, стекированные чипы с 64 слоями должны были отправиться на конвейер еще в 2016 году, однако из-за технических трудностей производитель постоянно откладывал серийное производство. Но теперь чипы, которые предложат 256 Гбит, уже можно производить в больших количествах. Samsung говорит о том, что к концу года около половины всех устройств на основе NAND будут использовать память четвертого поколения.
В новой V-NAND корейская компания продолжит использовать технологию TLC, которая позволяет записывать три бита на ячейку. Согласно Samsung, четвертое поколение будет отличаться более низкой стоимостью производства и в то же время более высокой производительностью. Производитель указывает на скорость до 1.000 Мбит/с. По сравнению с обычными 10-нм чипами 2D-NAND это означает увеличение скорости до 10 раз. Уменьшив напряжение до 2,5 В, компания добилась увеличения эффективности на 30% по сравнению с третьим поколением V-NAND.
В будущем Samsung планирует еще больше увеличить ёмкость чипов NAND. Первым шагом будет удвоение ёмкости до 512 Гбит, а затем и до 1 Тбит. Для этого планируется увеличить количество слоев с 64 до 96. Остается только надеяться, что уменьшение затрат на производство скажется на снижении цен на SSD. В любом случае, Samsung является одним из крупнейших производителей памяти, и переход на четвертое поколение V-NAND повлияет на ситуацию на рынке в целом.