> > > > IBM произвела первый тестовый чип по 7-нм техпроцессу

IBM произвела первый тестовый чип по 7-нм техпроцессу

Опубликовано:

ibm 2014Закон Мура гласит о том, что сложность интегральных схем удваивается каждые пару лет с учётом сохранения минимальной стоимости компонентов. За минувшие годы многие предрекали прекращение действия закона Мура, поскольку законы физики не обмануть, и производителям чипов придётся рано или поздно остановиться.

Похоже, что IBM удалось отложить подобные опасения ещё на несколько лет, поскольку компания произвела экспериментальный кристалл по 7-нм техпроцессу FinFET. IBM представила чип не в одиночку, а в сотрудничестве с GlobalFoundries, Samsung и College of Nanoscale Science and Engineering (State University of New York Polytechnic Institute).

7-нм техпроцесс IBM FinFET
7-нм техпроцесс IBM FinFET

Использовалась литография EUV. А именно процесс фотолитографии, электромагнитное излучение имело длину волны 13,5 нм (91,82 eV). У современных техпроцессов используется излучение с длиной волны 193 нм, уже в ультрафиолетовом диапазоне, что приводит к дополнительным трудностям. Ультрафиолетовое излучение поглощается воздухом, поэтому процесс экспозиции должен выполняться в вакууме. Дополнительная сложность приводит к увеличению затрат на литографию EUV, так что производители пытаются пока придерживаться иммерсионной литографии. IBM можно назвать пионером в литографии EUV, и компания планирует оставаться в роли лидера в ближайшие годы. Intel, между тем, ориентируется на максимальную экономию средств, поэтому компания планирует использовать 10- и 7-нм техпроцессы FinFET с иммерсионной литографией.

7-нм техпроцесс IBM FinFET
7-нм техпроцесс IBM FinFET

IBM поставила новый рекорд не только по размеру затвора транзистора, но и по расстоянию между транзисторами. На данный момент данное расстояние Transistor Fin Pitch составляет порядка 42 нм. IBM нацеливается с 7-нм техпроцессом FinFET на расстояние 30 нм. Всё это позволит увеличить плотность упаковки транзисторов на кристалле.

7-нм техпроцесс IBM FinFET
7-нм техпроцесс IBM FinFET

С новым 7-нм техпроцессом FinFET IBM планирует выпускать чипы, содержащие до 20 млрд. транзисторов. Для сравнения, GPU AMD "Fiji" в видеокартах Radeon R9 Fury X (тест и обзор) содержат 8,9 млрд. транзисторов, а чип NVIDIA GM200 второго поколения "Maxwell" в видеокартах GeForce GTX Titan X (тест и обзор) и GeForce GTX 980 Ti (тест и обзор) содержит 8 млрд. транзисторов. Но TSMC не так просто производить столь сложные чипы. Новый чип Intel "Knights Landing" тоже обладает схожей сложностью с 8 млрд. транзисторов.