На саммите в Санта-Кларе компания Samsung представила четвертое поколение памяти V-NAND. Также она известна под названием 3D NAND, где чип памяти представляет из себя множество слоёв, что позволяет увеличить ёмкость SSD и снизить стоимость производства. Текущее третье поколение V-NAND насчитывает до 48 слоев, а ёмкость одного чипа составляет 256 Гбит. Следующее поколение обеспечит уже 64 слоя и удвоение ёмкости до 512 Гбит на чип. Чипы все также будут опираться на технологию TLC и хранить по три бита на ячейку.
Вместе с этим Samsung представила новый накопитель на основе этой технологии для профессиональных пользователей. PM1643 – SSD в формате 2,5 дюйма ёмкостью 32 Тбайт. До настоящего момента на рынке не было представлено 2,5-дюймовых накопителей такого объема.
Кроме того, новый стандарт V-NAND позволит изготавливать маленькие накопители довольно большой ёмкости. Так, Samsung планирует представить в текущем году SSD на 1 Тбайт в формате BGA, который можно будет устанавливать в довольно компактных устройствах. Согласно первоначальным данным, подобный накопитель обеспечит скорость последовательного считывания и записи до 1.500 и 900 Мбайт/с при весе около одного грамма.
Однако Samsung не является единственным производителем, которому удалось изготовить чипы с 64 слоями. Toshiba и Western Digital также объявили о выходе подобных чипов на основе технологии BiCS3. Однако ёмкость одного такого чипа составляет 256 Гбит, в то время, как V-NAND четвертого поколения от Samsung позволяет создавать чипы на 512 Гбит. Кроме того, чипы на основе BiCS3 сойдут с конвейера только в начале 2017 года, а Samsung планирует серийное производство V-NAND 4 к четвертому кварталу 2016 года.