AMD и NVIDIA переходят на новую технологию памяти. AMD еще летом представила первые GPU с поддержкой новой High Bandwidth Memory, а именно Radeon R9 Fury X, Radeon R9 Fury и Radeon R9 Nano. NVIDIA планирует такой шаг в следующем году с GPU Pascal. Но кто будет производителем данной памяти, SK Hynix, как в случае с AMD, или Samsung, пока неизвестно.
В любом случае, в обозримом будущем HBM останется уделом high-end сегмента. Для видеокарт среднего уровня AMD и NVIDIA наверняка продолжат использовать память GDDR5, частота которой теперь достигла 2.000 МГц, хотя производители по-прежнему используют 1.750 МГц. В промежуток между HBM и GDDR5 Micron как раз планирует представить GDDR5X. Технически память опирается на нынешние технологии, но она адаптирована для увеличения пропускной способности.
Брифинг Micron, посвященный GDDR5X
Ширина prefetch была удвоена с 32 до 64 бит. Число слов данных на доступ тоже увеличилось в два раза, с 8 до 16. Пропускная способность данных на чип памяти у стандарта GDDR5 на 2.000 МГц 8 Гбит/с. Micron у нынешней версии GDDR5X планирует увеличить пропускную способность до 10-12 Гбит/с, в будущем возможен рост до 16 Гбит/с. Как указывает Micron, небольшие отличия между GDDR5 и GDDR5X облегчают доработку контроллера памяти, что не составит особого труда для AMD и NVIDIA.
Несколько примеров: если GPU работает с 256-битной шиной памяти, то переход на GDDR5X 12 Гбит/с позволит увеличить пропускную способность с 256 до 384 Гбайт/с (при частоте 2.000 МГц). Скорость 16 Гбит/с позволит даже удвоить пропускную способность до 512 Гбайт/с, что соответствует нынешнему поколению HBM. Но следует помнить, что GDDR5X на 16 Гбит/с пока недоступна.
Брифинг Micron, посвященный GDDR5X
High Bandwidth Memory, определенно, можно назвать технологией будущего. В этом сомнений мало. И следующий эволюционный шаг на второе поколение позволит продемонстрировать потенциал. Но HBM явно не будет использоваться на всем ассортименте продуктов – с этим согласна и AMD. Так что у GDDR5X есть веские доводы в свою пользу, тем более адаптировать нынешние контроллеры памяти можно довольно легко (близкие/идентичные задержки и частоты). В качестве бонуса можно отметить и снижение напряжения памяти с 1,5 до 1,35 В. Раскладка контактов новых чипов памяти идентична.