На днях Samsung объявила память V-NAND с 64 слоями, теперь настала очередь конкурента SK Hynix. Компания представила четвертое поколение памяти 3D NAND, ориентированное на высокую производительность вместе со снижением себестоимости производства. Память 3D NAND V4 производства SK Hynix будет обладать емкостью 256 Гбит на чип, технология TLC позволит хранит три бита в ячейке памяти. Преимущества четвертого поколения заключаются, в основном, в оптимизации производства, по информации компании удалось на треть увеличить долю выхода годных кристаллов с пластины. Все это позволяет снизить себестоимость производства, поскольку с одной пластины можно выпускать больше чипов.
Также 3D NAND V4 обеспечит прирост производительности. SK Hynix указывает увеличение скорости чтения и записи на 40%, но без подробностей. Кроме того, энергопотребление уменьшится примерно на 15%. Четвертое поколение флэш-памяти будет выпущено в четвертом квартале 2016, одновременно с памятью V-NAND от Samsung. Впрочем, у Samsung четвертое поколение отличается удвоенной емкостью 512 Гбит на чип. Конечно, будет интересно посмотреть, кто из Samsung и SK Hynix выйдет в лидеры по минимальной цене. В любом случае, цены на SSD с памятью последнего поколения продолжат снижаться. Но до появления накопителей на рынке пройдет еще несколько месяцев.