Мы уже несколько раз говорили о текущих проблемах Intel с 10-нм техпроцессом. Чиповый гигант уже извинялся за задержки. Но компания твердо придерживалась позиции, что все группы продуктов в ближайшие месяцы будут переведены на 10-нм технологию.
На данный момент процессоры Ice Lake действительно производятся по 10-нм техпроцессу. За ними скоро должны последовать процессоры Lakefield. Также и некоторые специальные процессоры, такие как Atom P5900, тоже производятся по 10 нм. Наконец, на протяжении года Intel планирует начать выпуск процессоров Xeon на дизайне Ice Lake.
Финансовый директор Intel Джордж Девис рассказал о проблемах на конференции Morgan Stanley. Доступна и аудиозапись. Хотя мы "безусловно находимся в эпохе 10 нм", конкурентов догнать не получится. Intel собирается вернуть паритет с 7-нм техпроцессом, который будет запущен с конца 2021 года. А с 5-нм техпроцессом Intel вернет себе роль лидера.
Тем не менее, Intel считает, что добилась серьезного прогресса с техпроцессом 10nm+. Он представляет собой дальнейшую оптимизацию 10-нм техпроцесса. Подобные оптимизации выполнялись и ранее, например, с 14-нм техпроцессом. Причем в случае 14-нм технологии Intel вносила их несколько раз, выжимая максимум. Из-за задержек с 10-нм техпроцессом Intel смогла сделать 14-нм техпроцесс максимально эффективным. До такой степени, что данный уровень недостижим с 10-нм технологией. Как утверждает Intel.
"Look, this isn't just going to be the best node that Intel has ever had. It's going to be less productive than 14nm, less productive than 22nm, but we're excited about the improvements that we're seeing and we expect to start the 7nm period with a much better profile of performance over that starting at the end of 2021."
Таким образом, Intel рано или поздно сместит фокус на 7-нм техпроцесс и не будет выжимать максимум из 10-нм техпроцесса. Пусть даже некоторые оптимизации 10 нм уже внедрены.
Ближайшие месяцы покажут, сможет ли Intel наладить массовое производство по 10-нм техпроцессу. Здесь интересна доля выхода годных кристаллов, особенно для крупных чипов. Также остается вопрос тактовых частот, на которых могут работать 10-нм кристаллы.
Техпроцессы сложно сравнивать напрямую
Производители чипов любят хвастаться новыми рекордами миниатюризации техпроцессов - независимо от того, используют ли они свои мощности или контрактных производителей. Intel, Samsung, GlobalFoundries и TSMC постоянно соревнуются друг с другом. Однако заявляемые характеристики 16, 14, 10 или 7 нм уже не являются определяющими, то есть их нельзя использовать для сравнения техпроцессов. Следует оценивать и другие характеристики техпроцесса (Fin Pitch, Min Metal Pitch, Cell Height и Gate Pitch).
В 2017 году Intel была очень оптимистично настроена по поводу перехода на 10-нм техпроцесс. Здесь можно привести сравнительные данные тех времен.
| Intel 14 нм | Intel 10 нм | TSMC 10 нм | TSMC 7 нм | Samsung 7 нм | |
| Fin Pitch | 42 нм | 34 нм | 36 нм | 30 нм | 27 нм |
| Min Metal Pitch | 52 нм | 36 нм | 44 нм | 40 нм | 36 нм |
| Gate Pitch | 70 нм | 54 нм | 66 нм | 57 нм | 54 нм |
| Fin Width | 8 нм | 7 нм | 6 нм | 6 нм | - |
| Fin Height | 42 нм | 53 нм | 42 нм | 52 нм | - |
| SRAM | 0,0499 µm² |
0,0312 µm² |
0,042 µm² |
0,021 µm² | 0,026 µm² |
Производители не всегда раскрывают карты по поводу спецификаций техпроцессов. Но мы все же собрали ряд сведений. Ниже пояснены некоторые термины.
- Fin Pitch: расстояние между ребрами (эмиттер и коллектор) транзистора
- Min Metal Pitch: минимальное расстояние между двумя слоями металла
- Fin Height: высота ребер от подложки Si в слое оксида
- Fin Width: толщина ребер
Кроме того, производители постоянно вносят оптимизации в свои техпроцессы, которые сложно отразить в таблице. Также одинаковые техпроцессы иногда могут на категории, например, High Performance (HP) или High Density (HD).
Подписывайтесь на группы Hardwareluxx ВКонтакте и Facebook, а также на наш канал в Telegram (@hardwareluxxrussia).